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キヤノン株式会社 鈴木 伸昌
概要
平面状マルチスロットアンテナ（PMA）を用いて、次世代ULSI製造プロセスに適した、高密度・低電子温度プラズ、マを発生する表面波干渉プラズ、マ（SIP）源を実現した。
誘電体窓の表面において、隣接するスロットから導入された表面波同士が干渉し、表面波の半波長毎、等間隔に表面定在波の腹を発生する。表面波の浸透厚は2mm以下で非常に薄く、誘電体窓の極近傍で超高密度・高電子温度プラズマが発生し、数mm程度の電子温度緩和層を経て、ほぼ純粋な拡散により高密度・低電子温度プラズマバルクが形成される。
表面波電界分布を均一化し高密度プラズマを均一に発生させるため、スロットの位置・方向・長さ、誘電体窓の径・厚さなどの構造パラメータを、今回JMAG-Worksを活用した電磁波解析を用いて最適化を行った。
