国立研究開発法人 産業技術総合研究所
窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ（GaN-OIL）
井手 利英
概要
近年、ワイドバンドギャップ半導体デバイスなどの新技術によりスイッチング回路の高速化に関する研究開発が進められている。高周波化はインダクタンスLやキャパシタンスCなどの受動素子の小型化につながるため、小規模サイズでの回路構成が可能となるメリットがある。一方で、半導体デバイスのスイッチング損失増大、磁性部品のヒステリシス損失増大などの問題がこれまで挙げられてきた。本発表ではこれらの他にも重要な検討事項となる配線の近接効果や表皮効果に着目しJMAGを中心とした検討を実施したので、MHzスイッチング回路実現へ向けた指針として示す。
講演論文を閲覧いただくには、サインインが必要です
こちらは会員限定コンテンツです。
『JMAGソフトウェア正規ユーザー（有償会員）』または『JMAG WEB MEMBER（無料会員）』でサインインが必要です。
『JMAG WEB MEMBER（無料会員）』へ登録することで、技術資料やそのほかの会員限定コンテンツを無料で閲覧できます。
登録されていない方は「新規会員登録」ボタンをクリックしてください。
