国立研究開発法人 産業技術総合研究所
窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ（GaN-OIL）
井手 利英
概要
近年、ワイドバンドギャップ半導体デバイスなどの新技術によりスイッチング回路の高速化に関する研究開発が進められている。高周波化はインダクタンスLやキャパシタンスCなどの受動素子の小型化につながるため、小規模サイズでの回路構成が可能となるメリットがある。一方で、半導体デバイスのスイッチング損失増大、磁性部品のヒステリシス損失増大などの問題がこれまで挙げられてきた。本発表ではこれらの他にも重要な検討事項となる配線の近接効果や表皮効果に着目しJMAGを中心とした検討を実施したので、MHzスイッチング回路実現へ向けた指針として示す。
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